| 부품명 | 탄탈륨 타겟 | 명세서 | Ø203.2 x 3mm 두께 (맞춤형) (옵션: 백킹 플레이트에 접착된 타겟) |
| 재료 | 고마워 | 청정 | 99.99% |
| 일반적인 응용 | 반도체, 웨이퍼&칩, 마이크로 전자 센서, 항공우주, 5G 광전, 기능성 코팅 | ||
타겟 물질은 집적 회로, 평판 디스플레이, 태양 전지, 기록 매체, 스마트 유리 등에 주로 사용되는 박막 제조를 위한 주요 재료 중 하나이며 재료 순도 및 안정성에 대한 요구 사항이 높습니다.스퍼터링 타겟 재료의 작동 원리: 스퍼터링은 박막 재료를 준비하는 주요 기술 중 하나입니다.이온 소스에서 생성된 이온을 사용하여 진공에서 가속하고 응집하여 고체 표면에 충격을 가하는 고속 이온 빔을 형성합니다.이온은 고체 표면 원자와 운동 에너지를 교환하여 고체 표면 원자가 고체를 떠나 기판 표면에 침전되도록 합니다.충격을 받은 고체는 스퍼터링 타겟 물질입니다.
| 부품명 | 탄탈륨 타겟 | 명세서 | Ø203.2 x 3mm 두께 (맞춤형) (옵션: 백킹 플레이트에 접착된 타겟) |
| 재료 | 고마워 | 청정 | 99.99% |
| 일반적인 응용 | 반도체, 웨이퍼&칩, 마이크로 전자 센서, 항공우주, 5G 광전, 기능성 코팅 | ||
타겟 물질은 집적 회로, 평판 디스플레이, 태양 전지, 기록 매체, 스마트 유리 등에 주로 사용되는 박막 제조를 위한 주요 재료 중 하나이며 재료 순도 및 안정성에 대한 요구 사항이 높습니다.스퍼터링 타겟 재료의 작동 원리: 스퍼터링은 박막 재료를 준비하는 주요 기술 중 하나입니다.이온 소스에서 생성된 이온을 사용하여 진공에서 가속하고 응집하여 고체 표면에 충격을 가하는 고속 이온 빔을 형성합니다.이온은 고체 표면 원자와 운동 에너지를 교환하여 고체 표면 원자가 고체를 떠나 기판 표면에 침전되도록 합니다.충격을 받은 고체는 스퍼터링 타겟 물질입니다.
